1

密度

密度天平

最大秤量：220g 可读性：0.1mg

2

硬度

肖氏硬度计

维氏硬度计

样品台有效尺寸：宽150mm，长140mm 从测量点开始的有效深度尺寸：70mm

试验力: 0.1gf – 62.5kgf X-Y工作台 300mm X 225mm 测试空间: 200mm (H) X 170mm (D)

3

颜色

色度仪

光谱范围（360nm-780nm） 光学分辨率 10nm

4

力学性能

拉力试验机

拉力范围：< 5KN 有效力范围 0.2% - 100% 精度等级：0.5级 试验速度：0.001-500mm/min

5

热导率/比热

DSC

基线平直度（-50°C至300°C）≤100μW 基线重现性（-50°C 300°C）< 40μW

温度范围-180°C至725°C 焓值精度±0.1% 温度准确度 ±0.1°C 温度精密度 ±0.01°C

热导仪

温度范围：-100°C~ 1600°C，双炉体 激光器，最大能量 10 J/Pulse（功率可调）非接触式测量

6

热膨胀系数

热膨胀计

温度范围: -150 ... 1600°C（不同炉体）升温速率: 0 ... 100°C/min（不同炉体）测试气氛: 动态或静态；氧化、还原、惰性、

真空样品载荷: 10mN ... 3N，可变，可调制（选配）量程: ±10000μm 测量分辨率: 1nm

7

表面粗糙度

光学轮廓仪

Z轴分辨率：0.1nm

8

表面粗糙度压电系数相位，薄膜微区

导电分析薄膜力学性能

AFM

扫描范围（X-Y轴100μm，Z轴12μm）

扫描速度为普通AFM的5-20倍扫描范围：8寸

9

电阻率绝缘电阻

4PP

量测范围：1mΩ/sq-200MΩ/sq 

最大测绘直径：300mm 圆形

XY载台运动范围：200mm x 200mm

最大样品容许高度：15mm

10

相对介电常数介电损耗

介电常数测试系统

低频（<10MHz）介电性能评估

相对介电常数测试范围：1.05-1000

介电损耗测试范围：0.0003-10

11

金属金相分析

显微结构分析

金相显微镜

行程：25 mm转盘每旋转一圈的行程：100 μm 行程精度：1 μm 具备明场，暗场，偏光模式 照明：白光LED，

阿贝/长工作距离聚光镜 物镜：5X、10X、20X、50X、100X

12

显微结构分析

表面成分分析

晶相及比例分析

SEM+EBSD

+EDS

二次电子像分辨率： 0.6 nm@15 kV0.7 nm@1 kV 放大倍率： 20 to2,000,000 x电子枪： 冷场发射电子源，支持柔性闪烁功能，包含阳极烘烤系统。加速电压： 0.5 to 30 kV着陆电压： 0.01 to 20 kV EBSD 高速低噪音CMOS相机，最高花样分辨率>1244*1024。 EBSD在线解析标定速度大于600pps，花样分辨率为312*256。 取向精度0.05度

13

TEM制样，样品

截面观察分析

FIB

样品台有效尺寸：宽150mm，长140mm 从测量点开始的有效深度尺寸：70mm

试验力: 0.1gf – 62.5kgf X-Y工作台 300mm X 225mm 测试空间: 200mm (H) X 170mm (D)

14

材料（含薄膜）

结晶相分析及相

比例分析

XRD

X射线发生器稳定度：<0.01% 

测角仪精度：0.002

15

零部件结构尺寸

工业CT

样品台有效尺寸：宽150mm，长140mm 从测量点开始的有效深度尺寸：70mm

试验力: 0.1gf – 62.5kgf X-Y工作台 300mm X 225mm 测试空间: 200mm (H) X 170mm (D)

16

三维尺寸

螺旋测微计

量程25mm，精度1μm

17

三维尺寸

光学轮廓仪

XY 行程：278 × 134 mm（电动）Z 行程：69 mm（电动）测试精度< 2μm

18

材料体相或表

面金属元素含量

ICP-OES

分析速度:2每分钟 70 个元素或谱线,而且每条测量谱线的积分时间≥10秒 样品消耗量:< 2ml,测定大于 70 个元素测定谱线的线性动态范围:210^5(以Mn257.6nm 来测定,相关系数≥0.9996)精密度:测定 1ppm 或 10ppm 多元素混合标准溶液，重复测定十次的 RSD≤0.5% 稳定性:测定 1ppm 或10ppm 多元素混合标准溶液，连续测定4小时的长时间,稳定性 RSD<2.0%

19

材料体相或表

面金属元素含量

ICP-MS

检出限：9Be≤ 0.1 ppt 115In≤ 0.05 ppt 238U≤ 0.05 ppt 灵敏度：9Be≥200M cps/ppm 115In≥800M cps/ppm

238U≥400M cps/ppm Bkgd @ 220.5 AMU ≤ 0.5 cps氧化物和和双电荷产率：CeO+/Ce+≤ 2.5%；Ce2+/Ce+≤ 3.0%

20

无机材料体相金

属杂质含量分析

GDMS

灵敏度：>1^-9A(高纯铜) 分辨率最大可达10000，元素检出限低于1ppb

21

表面金属元素含量

XRF

能量分辨率：< 145eV@30Kcps 

X射线源功率：50W  SDD探测器，面积60mm²

22

表面金属元素含量

XPS

配备有微聚焦单色器 双聚焦全180° 半球分析器 横向分辨15 µm 至 400 µm 双源离子枪，适用于软材料和硬材料，团簇能量每个原子1eV以上，单原子 Ar+ 模式（0.5－4 keV） 具有Ar离子枪刻蚀功能

23

表面金属元素含量

VPD-ICPMS

ICPMS检出限：9Be≤ 0.1 ppt 115In≤ 0.05 ppt 238U≤ 0.05 ppt 灵敏度：低质量数Li(7): ≥200

Mcps/ppm 中质量数Y(89): ≥1200 Mcps/ppm 高质量数Tl(205): ≥450 Mcps/ppm 冷焰模式下Co(59): ≥70 Mcps/ppm

Bkgd （2）U238≤0.2cps；Be9≤0.2cps 氧化物和和双电荷产率：CeO+/Ce+≤ 3.0% Ce2+/Ce+≤ 3.0%

24

硅片C，O含量

分析

FTIR

光谱范围：覆盖10 cm-1到28,000 cm-1 通用：8,000-50 cm-1 金刚石ATR测试：8,000-50 cm-1 中红外积分球测试（MCT探测器）：8,000-600 cm-1 光谱分辨率：优于0.4 cm-1 波数精度：< 0.005cm-1 信噪比：高于55,000:1

25

ONH ，CS含量

气体元素分析仪

样品台有效尺寸：宽150mm，长140mm 从测量点开始的有效深度尺寸：70mm

试验力: 0.1gf – 62.5kgf X-Y工作台 300mm X 225mm 测试空间: 200mm (H) X 170mm (D)

26

灰分测试，试剂烧灼残留分析

灰分炉

最高工作温度：1200℃ 炉膛：石英材质 升温速率：1-15℃/分钟

27

硅片及薄膜中气体元素分析

TDS

加热方式：石英棒引入红外线加热 样品室真空：< 1E-7Pa H检出限：< 1E16atoms/cm3(单晶硅)

质量范围：1-200

28

无机基团分析（OH-，SO4^2-等）

FTIR

光谱范围： 覆盖10cm-1到28,000 cm-1 通用：8,000-50cm-1 金刚石ATR测试：8,000-50 cm-1 中红外积分球测试

（MCT探测器）：8,000-600cm-1 光谱分辨率：优于0.4 cm-1 波数精度：< 0.005cm-1 信噪比：高于55,000:1

29

耐磨性

磨耗仪

平台转速每分钟 60和72圈 提供500g和1000g负载

30

耐酸碱腐蚀

密度天平

最大称量重量：320g，精度0.1mg

31

抗析晶分析，零部件耐热冲击

马弗炉

最高工作温度：1600℃ 温度稳定性: ±1℃ 升温速度：1-15℃/分钟

32

金属析出

ICP-MS

检出限：9Be≤ 0.1 ppt 115In≤ 0.05 ppt 238U≤ 0.05 ppt 灵敏度：9Be≥200M cps/ppm 115In≥800M cps/ppm 238U≥400M cps/ppm Bkgd @ 220.5 AMU ≤ 0.5 cps氧化物和和双电荷产率：CeO+/Ce+≤ 2.5%；Ce2+/Ce+≤ 3.0%

33

颗粒析出

颗粒计数器

设备1：0.15-0.5um 

设备2：粒径：0.2 / 0.3 / 0.5 / 1.0 / 2um，Flow : 10mL / min 

设备3：0.03um-0.13um